может тебе стоит подумать о разговоре об ангстремах


Фотолитографические технологии развиваются с поразительной скоростью, и если не так давно мы говорили о чипах, изготовленных с помощью фотолитографии 14 и 7 нм, то теперь мы погружены в процессы 5 нм, но всего через пару лет мы сделаем скачок на чипы всего 3 нм.

Дальше все становится интересно: IBM уже работает над 2-нм чипами, но TSMC только что анонсировала веху, которая позволит работать с 1-нм фотолитографией. Что будет дальше? Что ж, может нам нужно поговорить не нанометры, а ангстремы.

Добро пожаловать, мистер Ангстрем?

Выбрасываем: утверждает TSMC первые 3-нанометровые чипы появятся в 2022 году.Удивительно, учитывая, что нехватка микросхем оказывает огромное влияние на техническую (и автомобильную) промышленность. В IBM пошли немного дальше, когда говорили о разработке систем, которые позволят сделать следующий скачок к 2 нм, в который также входит TSMC.

Мы работаем над физическими пределами этих процессов в течение некоторого времени, но также и то, что масштабы, которые помогли нам выразить эти достижения, начинают падать. Все эти годы мы говорили о нанометрах, но кажется вероятным, что через несколько лет будут достигнуты достижения, которые способны работать с фотолитографией менее 1 нм.

Критерий Рэлея объяснил: близость физического предела кремния напоминает нам, что это уравнение говорит нам, как далеко мы можем зайти.

На самом деле в TSMC просто объявить технологическая веха, разработанная совместно с Национальным Тайваньским университетом и Массачусетским технологическим институтом (MIT). Исследователи обнаружили, что использование специального типа электрода, сделанного из висмута, может снизить сопротивление и увеличить прохождение электрического тока. Это приведет к процессы, которые будут способны привести к чипам 1 нмНо что будет дальше?

Кажется уверенным, что мы можем выходить за рамки 1-нм чипов, что является скорее психологическим барьером, чем что-либо другое. Существуют процессы, выходящие за рамки литографии EUV (экстремального ультрафиолета), такие как EUV с высокой числовой апертурой (High-NA EUV), и, конечно же, есть другие вовлеченные процессы это, безусловно, сталкивается с огромными проблемами. Однако эти проблемы также возникали в прошлом и были преодолены, поэтому ожидается, что в не столь отдаленном будущем мы выйдем за рамки 1-нм чипов.

Может тогда пора поговорить о фишках с фотолитографии выражаются не в нанометрах, а в ангстремах. Эта единица длины обычно используется для длин волн и молекулярных расстояний. Он обозначается шведской буквой Å и может быть кандидатом, потому что 1 Å равно 0,1 нм (или наоборот, 1 нм = 10 Å). Таким образом, нынешние чипы 5 нм также будут чипами на 50 ангстрем.

Верно также и то, что достижения на этом уровне, вероятно, будут более отдаленными во времени, и нанометры можно продолжать использовать, применяя десятичные дроби, и, таким образом, говоря о гипотетических чипах, например, размером 0,5 нанометра. Если мы дойдем до этого, вероятно, наименьшее из них – это использование нанометров или ангстрем, конечно, потому что их производительность значительно превзойдет сегодняшние чипы.

Leave a Reply

Your email address will not be published. Required fields are marked *